作业帮电子排布式的问题为什么Cr的电子排布式是3d5 4s1（外围）而Si的电子外围排布式是3s23p2 而不是3s1 3p3(这样半充满不是更好）
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/03 14:04:49
电子排布式的问题为什么Cr的电子排布式是3d5 4s1（外围）而Si的电子外围排布式是3s23p2 而不是3s1 3p3(这样半充满不是更好）
电子排布式的问题
为什么Cr的电子排布式是3d5 4s1（外围）
而Si的电子外围排布式是3s23p2 而不是3s1 3p3(这样半充满不是更好）
电子排布式的问题为什么Cr的电子排布式是3d5 4s1（外围）而Si的电子外围排布式是3s23p2 而不是3s1 3p3(这样半充满不是更好）
要能量最低,4s后为3d,但根据能量最低原理,1个4s电子激发到3d轨道上.3s和3p轨道之间能量差较大,不易激发.
1.d轨道提前半满
2.s全满比sp半满能量低
Cr原子的电子排布式
电子排布式的问题为什么Cr的电子排布式是3d5 4s1（外围）而Si的电子外围排布式是3s23p2 而不是3s1 3p3(这样半充满不是更好）
让写某元素基态原子的电子排布是写电子排布式还是电子排布图?
价电子排布.什么是价电子排布?价电子排布和电子排布式有什么区别?价电子排布是如何得出的.
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关于电子排布的小问题~基态B（硼）原子的电子排布式为?
Cr的电子排布问题及能层能级问题Cr的激发态电子排布式和轨道表示式（电子排布图）.在教科书中写有E(3d)>E（4s）,Cr元素基态为3d5 4s1,但为何Cr的激发态为3d4 4s2（即电子从3d跃迁至4s）.不是说
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